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    1. 半導(dǎo)體展望:審慎樂(lè)觀(guān)

             瀏覽次數(shù):439次     發(fā)布人:管理員     發(fā)布日期:2024-09-27

      瑞銀證券臺(tái)灣半導(dǎo)體分析師林莉鈞9月24日表示,對(duì)半導(dǎo)體業(yè)展望審慎樂(lè)觀(guān),預(yù)期2025年將持續(xù)增長(zhǎng),其中,不含記憶體的半導(dǎo)體營(yíng)收今年將成長(zhǎng)約8%,明年有望再增長(zhǎng)18%,成長(zhǎng)動(dòng)能主要來(lái)自消費(fèi)類(lèi)和AI相關(guān)產(chǎn)品,因目前下游庫(kù)存狀況健康、且較為穩(wěn)定。

      林莉鈞說(shuō),進(jìn)入2025年初,預(yù)計(jì)下游庫(kù)存可能會(huì)過(guò)低,將進(jìn)一步推動(dòng)產(chǎn)能利用率,尤其是晶圓代工和封裝領(lǐng)域。雖然市場(chǎng)對(duì)GPU供應(yīng)商推動(dòng)架構(gòu)過(guò)快而產(chǎn)生的良率,但預(yù)期這些問(wèn)題在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)會(huì)逐步改善。

      針對(duì)先進(jìn)制程,2納米技術(shù)被視為未來(lái)幾年的重要機(jī)會(huì),預(yù)計(jì)將超過(guò)3納米的需求高峰。隨著AI、PC和手機(jī)對(duì)運(yùn)算能力的需求上升,且成熟制程晶圓代工廠(chǎng)利用率回升,預(yù)計(jì)臺(tái)灣的晶圓代工廠(chǎng)明年將呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

      瑞銀臺(tái)灣硬體科技研究部主管陳星嘉指出,AI伺服器方面,首先投資人擔(dān)心美國(guó)四大云服務(wù)商(CSP)資本支出是否能持續(xù),進(jìn)而影響臺(tái)灣供應(yīng)鏈。

      記憶體寒冬將至供過(guò)于求問(wèn)題將延續(xù)至2026

      外界普遍認(rèn)為記憶體市況正走在穩(wěn)健的道路之際,外資摩根士丹利最新報(bào)告卻大潑冷水,直言記憶體“寒冬將至”,DRAM市場(chǎng)恐從周期性高峰回落,預(yù)期最快將于第4季反轉(zhuǎn)向下,開(kāi)始面臨供過(guò)于求壓力,不僅接下來(lái)訂價(jià)環(huán)境更具挑戰(zhàn),供過(guò)于求問(wèn)題更會(huì)一路延續(xù)至2026年。

      大摩是近期開(kāi)出第一槍看壞記憶體市況的外資,法人認(rèn)為,若DRAM市況反轉(zhuǎn)向下,將牽動(dòng)臺(tái)灣相關(guān)業(yè)者后市。

      大摩今年第2季初仍看多記憶體市況,當(dāng)時(shí)認(rèn)為在AI快速發(fā)展下,將導(dǎo)致DRAM和高頻寬記憶體(HBM)供不應(yīng)求,預(yù)計(jì)整個(gè)DRAM市場(chǎng)供應(yīng)缺口高達(dá)23%,樂(lè)觀(guān)預(yù)期將出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)“超級(jí)周期”。短短半年大摩即“變臉”,最新記憶體產(chǎn)業(yè)報(bào)告出現(xiàn)180度大轉(zhuǎn)變。

      摩在最新報(bào)告指出,“行業(yè)不會(huì)永遠(yuǎn)處于夏季,寒冬總會(huì)到來(lái)”,盡管記憶體價(jià)格仍在上漲,但隨著供應(yīng)追上需求,增長(zhǎng)速度正在接近峰值,將記憶體周指標(biāo)自2021年以來(lái)首次從“周期后期”調(diào)整為“周期峰值”,研判在接下來(lái)的幾個(gè)季度中,記憶體產(chǎn)業(yè)將走完一個(gè)完整周期,最快今年第4季就會(huì)看到這個(gè)高峰周期結(jié)束。

      大摩強(qiáng)調(diào),雖然AI需求相對(duì)仍強(qiáng)勁,但傳統(tǒng)終端市場(chǎng)最近幾周已惡化或保持疲軟,并導(dǎo)致價(jià)格下滑,初步跡象表明,第4季訂價(jià)環(huán)境將更具挑戰(zhàn),預(yù)期恐于2025年出現(xiàn)趨勢(shì)逆轉(zhuǎn),DRAM將一路供過(guò)于求至2026年,主因庫(kù)存持續(xù)積累,并加劇供需失衡狀況。

      就主要廠(chǎng)商后市來(lái)看,大摩大刀一揮,大砍SK海力士目標(biāo)價(jià),從26萬(wàn)韓元腰斬至12萬(wàn)韓元。

      大摩認(rèn)為,SK海力士今年大部分時(shí)期仍將表現(xiàn)良好,但從第4季開(kāi)始烏云密布;大摩看壞SK海力士之際,對(duì)南亞科、旺宏等臺(tái)灣記憶體廠(chǎng)也同步給予“減碼”評(píng)等,使得以DRAM為主要貨源、常因市況起伏而影響營(yíng)運(yùn)的威剛、十銓、創(chuàng)見(jiàn)等記憶體模組廠(chǎng)后市同受關(guān)注。

      HBM市場(chǎng)分散化、AI投資達(dá)高峰明年恐供過(guò)于求

      外資摩根士丹利最新報(bào)告開(kāi)出進(jìn)看壞DRAM市況的第一槍之際,同步唱衰當(dāng)紅的高頻寬記憶體(HBM)后市,預(yù)期隨著市場(chǎng)分散化以及AI領(lǐng)域投資達(dá)到高峰,明年HBM市場(chǎng)可能供過(guò)于求。惟記憶體業(yè)者普遍不認(rèn)同大摩的觀(guān)點(diǎn),認(rèn)為HBM市場(chǎng)一路旺到2025年無(wú)虞。

      大摩的觀(guān)點(diǎn)是,每家記憶體廠(chǎng)都在根據(jù)HBM產(chǎn)出的最佳可能情況進(jìn)行生產(chǎn),將全球原本用于生產(chǎn)DRAM的15%產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至生產(chǎn)HBM,這只需要少量的資本投資,預(yù)估僅不到2024年DRAM晶圓制造設(shè)備的10%,然而,如果按這個(gè)計(jì)畫(huà)進(jìn)行,HBM產(chǎn)能可能會(huì)面臨過(guò)剩。

      大摩直言,現(xiàn)階段業(yè)界良好的HBM供應(yīng)狀態(tài),2025年時(shí),恐面臨實(shí)際產(chǎn)出可能會(huì)逐漸趕上、甚至超過(guò)當(dāng)前被高估的需求量。一旦上述問(wèn)題浮現(xiàn),導(dǎo)致HBM供過(guò)于求,記憶體廠(chǎng)可把產(chǎn)能挪回制造DDR5,并閑置一小部分后端設(shè)備。

      目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家國(guó)外大廠(chǎng)供應(yīng),臺(tái)廠(chǎng)并未涉入HBM制造。相較于大摩看壞HBM市場(chǎng)發(fā)展,SK海力士、三星仍力挺HBM后市。

      三星、SK海力士本月初來(lái)臺(tái)參加國(guó)際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2024),當(dāng)時(shí)兩大廠(chǎng)即同步釋出對(duì)HBM后市正向看待的觀(guān)點(diǎn),并積極推出最新產(chǎn)品,且不約而同強(qiáng)調(diào)將強(qiáng)化與其他晶圓廠(chǎng)合作。

      三星并推估,HBM市場(chǎng)規(guī)模今年將達(dá)到16億Gb,相當(dāng)于2016年到2023年加起來(lái)再乘以?xún)杀兜臄?shù)字,顯現(xiàn)HBM市場(chǎng)爆發(fā)力強(qiáng)勁,看好AI將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)蓬勃發(fā)展。為此,三星下世代MCRDIMM也已經(jīng)準(zhǔn)備好將在年底量產(chǎn),并推出32Gb DDR5。

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